[发明专利]基于硅硅键合和绝缘层上硅的压力传感器芯片及方法无效
| 申请号： | 200810036215.3 | 申请日： | 2008-04-18 |
| 公开（公告）号： | CN101271028A | 公开（公告）日： | 2008-09-24 |
| 发明（设计）人： | 武爱民;陈静;王曦;魏星;张波;王曦 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 |
| 主分类号： | G01L1/18 | 分类号： | G01L1/18;B81B7/02;B81C1/00 |
| 代理公司： | 上海智信专利代理有限公司 | 代理人： | 潘振甦 |
| 地址： | 200050*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及基于硅硅键合和绝缘层上硅(SOI)的压力传感器芯片及其制作方法，属于传感器芯片领域。其特征在于支撑硅片上的浅槽和导气孔都是通过各向异性腐蚀形成的，通过控制腐蚀时间获得适当的浅槽深度可以实现器件的过压保护。通过硅硅键合技术将支撑片与倒扣的SOI片键合，完成磨片和抛光后在SOI上实现梁－膜结构提高器件的灵敏度和线性度，在加工的梁上制备力敏电阻元件，采用SOI的氧化埋层解决敏感元件和弹性元件的绝缘隔离，提高器件的长期可靠性和高温环境下的适用性。本发明提出的基于键合技术的SOI高灵敏压力传感器芯片工艺可控性和重复性好，成品率高。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 硅硅键合 绝缘 层上硅 压力传感器 芯片 方法 | ||
【主权项】：
1、基于硅硅键合和SOI制作的压力传感芯片，其特征在于体硅片和SOI微机械加工形成梁-膜结构和力敏电阻部分，由各向异性腐蚀在体硅片正面形成浅槽，背面形成导气孔，浅槽之上的SOI上有应力膜，梁和通过二氧化硅埋层隔离的终端压阻元件以及连接力敏电阻元件的引线和电极。
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