[发明专利]工作在太赫兹波段的光伏型量子阱探测器有源区结构的形成方法

摘要

一种工作在太赫兹波段的光伏型量子阱探测器有源区结构的形成方法。其首先在单个周期内形成AlGaAs/GaAs多量子阱结构，所述多量子阱结构依次包括：宽势垒区、第一掺杂量子阱层、多组分势垒区、第二量子阱层、低势垒区、及第三量子阱层，并使宽势垒区中的Al组分值小于0.1，使多组分势垒区的高组分单层的Al组分值大于0.25，然后采用自洽的平面波展开方法，并在考虑Hartree势的影响下求解薛定谔方程，采用简化的散射模型，在考虑电子在准连续态时电子－声子、电子－杂质散射效应对光响应谱峰形的影响情况下，计算单周期结构的光电流谱，最后选择适合于特定探测波长的结构作为工作在太赫兹波段的光伏型量子阱探测器的有源区结构，由此可形成光伏型器件。

主权项

1.一种工作在太赫兹波段的光伏型量子阱探测器有源区结构的形成方法，其特征在于包括以下步骤：1)在单个周期形成AlGaAs/GaAs多量子阱结构；多量子阱结构包括：宽势垒区、在宽势垒区上生长的第一掺杂量子阱层、在第一掺杂量子阱层上依次单层交替生长一高一低的多组分势垒区，且生长的相互间隔的高组分单层的组分相同、在多组分势垒区上生长第二量子阱层、在第二量子阱层上生长低势垒区、及在低势垒区上生长第三量子阱层，并使宽势垒区中的Al组分值小于0.1，使多组分势垒区的高组分单层的Al组分值大于0.25；2)采用自洽的平面波展开方法，并在考虑Hartree势的影响下求解薛定谔方程以计算出单周期结构的电子波函数的分布；3)根据计算出的电子波函数的分布，采用简化的散射模型，在考虑电子在准连续态时电子-声子、电子-杂质散射效应对光响应谱峰形的影响情况下，计算单周期结构的光电流谱；4)根据计算出的光电流谱的结果选择适合于特定探测波长的结构作为工作在太赫兹波段的光伏型量子阱探测器的有源区结构。