[发明专利]一种超低功耗非挥发静态随机存取存储单元及其操作方法无效
| 申请号： | 200810034545.9 | 申请日： | 2008-03-13 |
| 公开（公告）号： | CN101246740A | 公开（公告）日： | 2008-08-20 |
| 发明（设计）人： | 林殷茵;薛晓勇 | 申请（专利权）人： | 复旦大学 |
| 主分类号： | G11C11/412 | 分类号： | G11C11/412;G11C11/419 |
| 代理公司： | 上海正旦专利代理有限公司 | 代理人： | 陆飞;盛志范 |
| 地址： | 20043*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明发球集成电路技术领域，具体为一种超低功耗非挥发静态随机存取存储单元。该存储单元采用二元或者二元以上的多元金属氧化物作为非挥发存储电阻，包括一个六管静态随机存取存储单元，两个互补的存储电阻，两个与存储电阻分别耦连的选通管和一个由两个NMOS管组成的读出缓冲器；本发明设计的非挥发静态存储器单元，其内部的晶体管在适当的时候可进入亚阈值区域，最终实现超低功耗。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 功耗 挥发 静态 随机存取 存储 单元 及其 操作方法 | ||
【主权项】：
1、一种超低功耗非挥发静态随机存取存储单元，其特征在于采用二元或者二元以上的多元金属氧化物作为非挥发存储电阻，包括一个六管静态随机存取存储单元，两个互补的存储电阻，两个与存储电阻分别耦连的选通管和一个由两个NMOS管组成的读出缓冲器；其中，两个存储电阻一端分别与六管静态随机存取存储单元的上拉管或下拉管的漏端耦连，另一端与选通管的漏端耦连；与存储电阻耦连的选通管的栅极和源端的控制信号无需外加，由电路内部信号提供；读出缓冲器的两个NMOS管，其中一个NMOS的栅极与静态随机存取存储单元的互补存储值耦连，源端与地线耦连，漏端与读出缓冲器的另一个NMOS管的源端耦连；另一个NMOS管的栅极与读字线耦连，漏端与读位线耦连，源端与前一个NMOS管的漏端耦连。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于复旦大学，未经复旦大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200810034545.9/，转载请声明来源钻瓜专利网。
