[发明专利]同时制备多方向水平定向单壁碳纳米管阵列的方法无效
| 申请号： | 200810032805.9 | 申请日： | 2008-01-18 |
| 公开（公告）号： | CN101357757A | 公开（公告）日： | 2009-02-04 |
| 发明（设计）人： | 饶伏波;李铁;王跃林;张志祥;金钦华 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 |
| 主分类号： | C01B31/02 | 分类号： | C01B31/02;B82B3/00 |
| 代理公司： | 上海智信专利代理有限公司 | 代理人： | 潘振甦 |
| 地址： | 200050*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种同时制备多方向水平定向单壁碳纳米管阵列的方法，属于纳米材料制备技术领域。本发明采用含钠离子的溶液处理表面为Si或SiO2的衬底，使用铁蛋白作为催化剂源，用于催化制备以含碳原料气和氢气为碳纳米管生长气源，用化学气相沉积法在卧式电阻炉中实现多方向水平定向单壁碳纳米管阵列的生长。本发明提供的方法可以在衬底上同时获得多个方向水平定向生长的单壁碳纳米管阵列，且操作简单。 | ||
| 搜索关键词： | 同时 制备 多方 水平 定向 单壁碳 纳米 阵列 方法 | ||
【主权项】：
1.一种同时制备多方向水平定向单壁碳纳米管阵列的方法，其特征在于采用铁蛋白作为制备单壁碳纳米管的催化剂源并且采用含有钠离子的溶液处理表面为Si或者SiO2的衬底，包括以下步骤：a)采用含有钠离子的溶液处理衬底；b)将铁蛋白固定在衬底上；c)将处理后的衬底干燥后放入化学气相沉积系统的石英管中，将衬底在空气或氧气气氛下加热到400℃-800℃，并保持5-30分钟；d)排空石英管中的空气或氧气，将衬底在惰性气体或氮气气氛中加热到800℃-1100℃；e)通入含碳原料气体和氢气的混合气体在衬底上生长具有多个方向水平定向特征的单壁碳纳米管阵列。
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