[发明专利]一种低温可控制备氧化锌纳米线的方法及其应用有效
申请号: | 200810028488.3 | 申请日: | 2008-06-03 |
公开(公告)号: | CN101319372A | 公开(公告)日: | 2008-12-10 |
发明(设计)人: | 许宁生;刘俊;佘峻聪;邓少芝;陈军 | 申请(专利权)人: | 中山大学 |
主分类号: | C30B29/16 | 分类号: | C30B29/16;C30B29/62;C30B7/00;C01G9/02 |
代理公司: | 广州新诺专利商标事务所有限公司 | 代理人: | 华辉 |
地址: | 510275广*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | 本发明公开了一种低温可控制备氧化锌纳米线的方法,其特征在于工艺步骤如下:(a)在衬底上沉积一层氧化锌或者金属锌的薄膜,作为氧化锌纳米线生长过程中的种子层;(b)配制锌盐和胺类表面活性剂的混合溶液作为纳米材料生长过程中的生长液;(c)将沉积有种子层的衬底放入到上述生长溶液中进行纳米线的生长。所述纳米线的生长密度通过调整种子层的厚度来控制,纳米线的生长形貌通过调整生长溶液中锌离子的浓度来控制。本发明同时提供了一种利用上述技术制备集成有控制栅极的氧化锌纳米线的方法。 | ||
搜索关键词: | 一种 低温 可控 制备 氧化锌 纳米 方法 及其 应用 | ||
【主权项】:
1.一种低温可控制备氧化锌纳米线的方法,其特征在于其工艺步骤如下:(a)在衬底上沉积一层氧化锌或者金属锌的薄膜,作为氧化锌纳米线生长过程中的种子层;(b)配制锌盐和胺类表面活性剂的混合溶液作为纳米材料生长过程中的生长液;(c)将沉积有种子层的衬底放入到上述生长溶液中进行纳米线的生长。
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