[发明专利]具有光子晶体高反射层的半导体发光二极管器件有效
| 申请号： | 200810027281.4 | 申请日： | 2008-04-08 |
| 公开（公告）号： | CN101257077A | 公开（公告）日： | 2008-09-03 |
| 发明（设计）人： | 王钢;招瑜 | 申请（专利权）人： | 中山大学 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00 |
| 代理公司： | 广州粤高专利代理有限公司 | 代理人： | 禹小明 |
| 地址： | 510275广*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种具有光子晶体高反射层的半导体发光二极管器件，包括衬底及沉积于衬底上的半导体外延叠层，该半导体外延叠层自下而上包括N型层、发光层及P型层，P型层的上表面设置有P型电极，部分半导体外延叠层被刻蚀并露出部分N型层，露出的部分N型层上设置有N型电极，该半导体发光二极管器件内设有提高出光面出光效率的高反射层，且该高反射层包括由高折射率材料与低折射率材料周期性排列而成的光子晶体层及位于光子晶体层背面的低折射率材料层。本发明能有效地提高器件的出光效率。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 光子 晶体 反射层 半导体 发光二极管 器件 | ||
【主权项】：
1、一种具有光子晶体高反射层的半导体发光二极管器件，包括衬底(1)及沉积于衬底(1)上的半导体外延叠层，该半导体外延叠层自下而上包括N型层(3)、发光层(4)及P型层(5)，P型层(5)的上表面设置有P型电极(6)，部分半导体外延叠层被刻蚀并露出部分N型层(3)，露出的部分N型层(3)上设置有N型电极(7)，其特征在于：该半导体发光二极管器件内设有提高出光面出光效率的高反射层(2)，且该高反射层(2)包括由高折射率材料(12)与低折射率材料(13)周期性排列而成的光子晶体层(14)及位于光子晶体层(14)背面的低折射率材料层(15)。
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