[发明专利]纳米硅变容二极管及其加工方法无效
| 申请号： | 200810024203.9 | 申请日： | 2008-05-20 |
| 公开（公告）号： | CN101325223A | 公开（公告）日： | 2008-12-17 |
| 发明（设计）人： | 王树娟;何宇亮 | 申请（专利权）人： | 无锡市纳微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/93 | 分类号： | H01L29/93;H01L29/06;H01L21/329 |
| 代理公司： | 无锡盛阳专利事务所 | 代理人： | 顾吉云 |
| 地址： | 214028*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明为纳米硅变容二极管。其以量子隧穿机制为主要传导机制，反向漏电流Ir为纳安(nA)量级，具有极好的温度稳定性，为此，本发明还提供了变容二极管的加工方法。其包括单晶硅基片、电极，所述基片上表面覆盖有外延层，所述基片下表面为背电极，所述外延层的外部覆盖SiO2层，其特征在于：所述SiO2层设置有窗口，所述窗口覆盖掺杂纳米硅薄膜的工作层，所述电极设置于所述工作层。其加工方法为，以P型或N型低电阻单晶硅为基片，在基片上生长外延层，在外延层上采用半导体平面工艺，热氧化法生长SiO2层，在SiO2层上再使用平面工艺光刻技术制成一排排整齐的小窗口，在SiO2的窗口上生长一层掺杂纳米硅薄膜作为器件的工作层，然后在纳米硅层上用溅射法或蒸发形成电极，再采用光刻技术留下电极图形，然后做上表面钝化膜，最后切片封装形成产品。 | ||
| 搜索关键词： | 纳米 变容二极管 及其 加工 方法 | ||
【主权项】：
1、纳米硅变容二极管，其包括单晶硅基片、电极，所述基片上表面覆盖有外延层，所述基片下表面为背电极，所述外延层的外部覆盖SiO2层，其特征在于：所述SiO2层设置有窗口，所述窗口覆盖掺杂纳米硅薄膜的工作层，所述电极设置于所述工作层。
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