[发明专利]存储元件与其制造方法有效
| 申请号： | 200810009779.8 | 申请日： | 2008-02-15 |
| 公开（公告）号： | CN101510507A | 公开（公告）日： | 2009-08-19 |
| 发明（设计）人： | 陈致霖;刘光文;陈昕辉 | 申请（专利权）人： | 旺宏电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28;H01L21/336;H01L29/423;H01L29/792 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 | 代理人： | 陈 亮 |
| 地址： | 台湾省新竹科学*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种存储元件的制造方法，此方法包括在基底上依序形成具有栅极介电层结构的电荷储存结构，接着在电荷储存结构上方形成栅极导体层，之后图案化栅极导体层以及至少部分电荷储存结构。图案化后的电荷储存结构的剖面大致呈梯形或类梯形，此梯形或类梯形接近栅极导体层为短边而接近基底为长边。 | ||
| 搜索关键词： | 存储 元件 与其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1. 一种存储元件的制造方法，包括：形成包含一栅极介电层结构的一电荷储存结构；在该电荷储存结构上形成一栅极导体层；以及图案化该栅极导体层以及至少部份该电荷储存结构，使该图案化后的该电荷储存结构的剖面大致呈一梯形或类梯形，其中该电荷储存结构接近该栅极导体层为短边而接近该基底为长边。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
