[发明专利]具有填充侧壁存储元件的相变化存储单元及其制造方法有效
| 申请号： | 200810009750.X | 申请日： | 2008-02-13 |
| 公开（公告）号： | CN101257087A | 公开（公告）日： | 2008-09-03 |
| 发明（设计）人： | 龙翔澜;陈介方 | 申请（专利权）人： | 旺宏电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00;H01L27/24;H01L21/82;G11C11/56;G11C16/02 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 | 代理人： | 王英 |
| 地址： | 中国台湾新竹*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明披露一种存储单元及其制造方法，并具体披露一种具有填充侧壁存储元件的相变化存储单元及其制造方法。此处所披露的存储单元其包含一底电极、一顶电极，于该底电极之上、一介层孔，具有一侧壁，其自该底电极延伸至该顶电极、以及一存储元件，其与该底电极及该顶电极电连接。此存储元件具有一外表面与一介电侧壁子连接，此介电侧壁子位于此介层孔的侧壁处，此存储元件包含一树干部分于该底电极之上及一杯状部分于该树干部分之上。一填充材料位于由该存储元件的该杯状部分的内表面所定义的内里之中。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 填充 侧壁 存储 元件 相变 单元 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1、一种存储单元，其包含：一底电极；一顶电极；一介层孔，具有一侧壁，其自所述底电极延伸至所述顶电极；一介电侧壁子，位于介层孔的所述侧壁；一存储元件，其与所述底电极及所述顶电极电连接，具有一外表面，所述外表面与所述介电侧壁子连接，所述存储元件包含一树干部分于所述底电极之上及一杯状部份于所述树干部分之上，所述杯状部份具有一内表面，其中所述存储元件包含一存储器材料，其具有至少两个固态相；以及一填充材料，位于由所述存储元件的所述杯状部份的所述内表面所定义的内部。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于旺宏电子股份有限公司，未经旺宏电子股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200810009750.X/，转载请声明来源钻瓜专利网。
