[发明专利]半导体光装置有效
| 申请号： | 200810009530.7 | 申请日： | 2008-01-30 |
| 公开（公告）号： | CN101257057A | 公开（公告）日： | 2008-09-03 |
| 发明（设计）人： | 鹫野隆;反町进;中井大介;冈本薰;早川茂则 | 申请（专利权）人： | 日本光进株式会社 |
| 主分类号： | H01L31/08 | 分类号： | H01L31/08;H01L31/0224;H01S5/00 |
| 代理公司： | 北京银龙知识产权代理有限公司 | 代理人： | 钟晶 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体光装置，其在半导体基板上形成的活性面上大体上以垂直方向或平行方向发光或受光，在活性面的一侧上形成与上述活性面连接的电极，通过半导体光装置在该电极的端部具有阶梯形或锥形，由此可以解决本发明的技术问题。半导体光装置的电极由粘着层/扩散阻挡层/Au层这三层形成，阶梯形或锥形通过Au层的薄膜厚度差或者粘着层/扩散阻挡层/Au层膜的厚度而形成。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 | ||
【主权项】：
1.一种半导体光装置，为在半导体基板上形成的活性面上大体上以垂直方向或平行方向发光或受光的半导体装置，其特征在于：在上述活性面的一侧上形成与上述活性面连接的电极，该电极在其端部具有阶梯形或锥形。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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