[发明专利]相变存储器件及其制造方法无效
| 申请号： | 200810009506.3 | 申请日： | 2008-01-04 |
| 公开（公告）号： | CN101252169A | 公开（公告）日： | 2008-08-27 |
| 发明（设计）人： | 申雄澈;金基俊;许智贤;李孝锡 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00;H01L27/24;H01L21/82;G11C11/56;G11C16/02 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 陶凤波 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 一种相变存储器件及其制造方法，所述相变存储器件在其存储节点中包括相变层，还包括：底部电极；安置在底部电极上、由相变材料制成的底部电极接触层；安置在底部电极接触层上、宽度小于底部电极接触层的第一相变层；安置在第一相变层上、宽度大于第一相变层的第二相变层；以及安置在第二相变层上的上部电极。 | ||
| 搜索关键词： | 相变 存储 器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种相变存储器件，包括在其存储节点中的相变层，所述相变存储器件包括：底部电极；底部电极接触层，由相变材料制成且安置在所述底部电极上；第一相变层，宽度小于所述底部电极接触层且安置在所述底部电极接触层上；第二相变层，宽度大于所述第一相变层且安置在所述第一相变层上；以及上部电极，安置在所述第二相变层上。
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