[发明专利]包括硅纳米管芯的多层结构及其制作方法有效
| 申请号： | 200810008557.4 | 申请日： | 2008-01-23 |
| 公开（公告）号： | CN101231944A | 公开（公告）日： | 2008-07-30 |
| 发明（设计）人： | 卓恩宗;赵志伟;彭佳添;刘婉懿;孙铭伟 | 申请（专利权）人： | 友达光电股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/00 | 分类号： | H01L21/00;H01L21/314;H01L21/3105;H01L31/04;H01L31/18;H01L29/792;H01L29/51;H01L27/115;H01L21/336;H01L21/28;H01L21/8247;H01L31/08 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 彭久云 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开了包括硅纳米管芯的多层结构及其制造方法、太阳能电池及形成其的方法、非易失性存储器单元及其制造方法、以及光感测单元及其制造方法。在一实施例中，包括硅纳米管芯的多层结构的制造方法包括步骤：于基底上形成第一导电层，于第一导电层上形成富硅介电层，至少对富硅介电层进行激光退火步骤，使富硅激发产生聚集，以于富硅介电层中形成多个硅纳米管芯。富硅介电层折射系数大体上为1.47～2.5的富硅氧化层，或折射系数约为1.7～2.5的富硅氮化层，包括硅纳米管芯的多层结构可用于太阳能电池、光侦测器、触控显示器、非易失性存储器元件的储存节点或液晶显示器。 | ||
| 搜索关键词： | 包括 纳米 管芯 多层 结构 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
1.一种包括硅纳米管芯的多层结构的制造方法，包括：形成第一导电层于基底上；及形成富硅介电层于该第一导电层上，其中该富硅介电层具有多个硅纳米管芯。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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