[发明专利]制造碳纳米管膜的方法,具有夹层结构的碳纳米管膜,阳极,有机发光二极管和碳纳米管元件无效
| 申请号： | 200810005631.7 | 申请日： | 2008-02-14 |
| 公开（公告）号： | CN101508432A | 公开（公告）日： | 2009-08-19 |
| 发明（设计）人： | 梶浦尚志;李勇明;王钰;刘云圻;曹灵超;魏大程;石大川;张洪亮;于贵 | 申请（专利权）人： | 索尼株式会社 |
| 主分类号： | C01B31/02 | 分类号： | C01B31/02;B32B7/08;B32B9/00;H01L51/52;H01L51/54 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 吴培善 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供制造柔性透明导电碳纳米管(CNT)膜的方法，以及由所述方法制备的CNT膜。本发明也涉及使用亚硫酰溴(SOBr2)作为掺杂剂处理CNT膜的方法、具有夹层结构的CNT膜层压体、包括该CNT膜层压体的柔性透明阳极和包括该阳极的有机发光二极管(LED)。与通常的浸渍方法相比，本申请的方法能够快速和完全地除去薄膜过滤器，而不破坏所得到的CNT，这使得得到的CNT膜能够在电致发光或光伏器件中得到更加广泛的应用。 | ||
| 搜索关键词： | 制造 纳米 方法 具有 夹层 结构 阳极 有机 发光二极管 元件 | ||
【主权项】：
1. 制造柔性透明导电碳纳米管膜的方法，其包括以下步骤：(a)将碳纳米管分散在表面活性剂中形成分散体；(b)用薄膜过滤器过滤该分散体并在薄膜过滤器上形成碳纳米管膜；(c)用缓冲液除去碳纳米管膜正面上基本上所有的表面活性剂。
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