[发明专利]快闪存储器平均磨损方法及其控制器有效
| 申请号： | 200810005423.7 | 申请日： | 2008-01-30 |
| 公开（公告）号： | CN101499315A | 公开（公告）日： | 2009-08-05 |
| 发明（设计）人： | 叶志刚;朱健华 | 申请（专利权）人： | 群联电子股份有限公司 |
| 主分类号： | G11C16/06 | 分类号： | G11C16/06;G11C16/10 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 | 代理人： | 陈 亮 |
| 地址： | 台湾省新竹县竹*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开一种平均磨损方法，其用于多层存储单元(Multi Level Cell，MLC)NAND快闪存储器。上述存储器包括具有多个区块的第一区域与具有多个区块的第二区域，且第一与第二区域的区块分别包括上页与下页。此平均磨损方法包括使用不同的启动条件来分别判断在MLC NAND快闪存储器的第一区域与第二区域中是否启动平均抹除程序的交换区块运作；以及分别在第一与第二区域中进行交换区块运作，其中第一区域的区块是仅使用下页来存取，并且第二区域的区块是同时使用下页与上页来存取。因此，可有效地延长快闪存储器的寿命同时避免系统资源的无谓浪费。 | ||
| 搜索关键词： | 闪存 平均 磨损 方法 及其 控制器 | ||
【主权项】：
1. 一种平均磨损方法，其适用于一多层存储单元NAND快闪存储器，该多层存储单元NAND快闪存储器包括具有多个区块的一第一区域与具有多个区块的一第二区域，且该第一区域与该第二区域的区块分别包括一上页与一下页，该平均磨损方法包括：使用不同的启动条件来分别判断在该多层存储单元NAND快闪存储器的该第一区域与该第二区域中是否启动一平均抹除程序的一交换区块运作；以及分别在该第一区域与该第二区域中进行该交换区块运作，其中该第一区域的区块仅使用该些下页来存取，并且该第二区域的区块同时使用该些下页与该些上页来存取。
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