[发明专利]半导体结构及其制造方法有效
| 申请号： | 200810004602.9 | 申请日： | 2008-01-21 |
| 公开（公告）号： | CN101252146A | 公开（公告）日： | 2008-08-27 |
| 发明（设计）人： | 斯蒂文·J.·科斯特;威尔弗雷德·E.－A.·哈恩斯奇;阿姆兰·玛尤姆达 | 申请（专利权）人： | 国际商业机器公司 |
| 主分类号： | H01L29/49 | 分类号： | H01L29/49;H01L21/28 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 屠长存 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 一种诸如CMOS结构的半导体结构，其包括具有横向可变的功函数的栅电极。该具有横向可变的功函数的栅电极可利用倾角离子注入方法或按顺序成层方法来形成。在未掺杂的沟道场效应晶体管器件中，该具有横向可变的功函数的栅电极提供增强的电性能。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体结构，其包括位于半导体衬底上方的栅电极，所述栅电极具有在所述栅电极中横向可变的功函数。
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