[发明专利]半导体器件

摘要

本发明涉及一种半导体器件。由于制造过程或所采用的基片中的差别而引起的栅极绝缘薄膜中的变化，以及沟道区域晶体状态中的变化，这两种因素的结合产生的阈值电压的变化或变动性困扰着晶体管。为解决该问题，本发明提供了一种电路，该电路具有一种配置，使得电容元件的两个电极能够保持一个特定晶体管的栅极－源极电压。本发明提供了一种电路，该电路能够通过使用一种恒流源来在所述电容元件的两个电极之间设定一个电位差。

主权项

1.半导体器件，包括：晶体管；电容器；第一开关；第二开关；第三开关；第四开关；以及用于向所述晶体管提供电流的电流源，其中所述晶体管的栅极被电连接到所述电容器的一个端子上，其中所述晶体管的栅极被电连接到所述第三开关的一个端子上，其中所述晶体管的源极和漏极中的一个被电连接到所述第二开关的一个端子上，其中所述晶体管的源极和漏极中的所述一个被电连接到所述第四开关的一个端子上，其中所述晶体管的源极和漏极中的所述一个被电连接到所述电流源上，其中所述晶体管的源极和漏极中的另一个被电连接到所述第三开关的另一个端子上，其中所述第一开关的一个端子被电连接到所述电容器的另一个端子上，其中所述第一开关的所述一个端子被电连接到所述第四开关的另一个端子上，其中所述第一开关的另一个端子被电连接到输入端子上，以及其中所述第二开关的另一个端子被电连接到输出端子上。