[发明专利]电容器元件及其制造方法有效

专利信息
申请号: 200810003421.4 申请日: 2008-01-11
公开(公告)号: CN101295580A 公开(公告)日: 2008-10-29
发明(设计)人: 吴仕先;赖信助;李明林;刘淑芬 申请(专利权)人: 财团法人工业技术研究院
主分类号: H01G4/00 分类号: H01G4/00;H01G4/018;H01G4/008;H01G13/00;H05K1/16;H05K3/30
代理公司: 北京三友知识产权代理有限公司 代理人: 任默闻
地址: 台湾省*** 国省代码: 中国台湾;71
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 发明提供一种电容器元件及其制造方法。该电容器元件可包括至少一电容性器件。该至少一电容性器件可包含:一对彼此对置的第一导电层;至少一第一介电层,其可形成于该第一导电层中的至少一者的一表面上;以及一第二介电层,其可夹于该第一导电层之间。该第一介电层可具有一第一介电常数,且该第二介电层可具有一第二介电常数。该电容器元件的该电容可视该第一介电层以及该第二介电层的介电参数而定。该介电参数可包含该至少一第一介电层的该第一介电常数及厚度,以及该第二介电层的该第二介电常数及厚度。本发明有效规避了两金属间透过薄介电层而发生短路的危险,或在该介电层中形成可能影响电容效应及特性的细微气泡或其它结构上的缺陷的危险。
搜索关键词: 电容器 元件 及其 制造 方法
【主权项】:
1.一种电容器元件,其特征在于,所述电容器元件包含:至少一电容性器件,所述至少一电容性器件包含:一对彼此对置的第一导电层;至少一第一介电层,其形成于所述第一导电层中的至少一者的一表面上,所述至少一第一介电层具有一第一介电常数;以及一第二介电层,其具有一第二介电常数,所述第二介电层经由所述至少一第一介电层而夹于所述第一导电层之间,其中所述电容器元件的电容视所述至少一第一介电层及所述第二介电层的介电参数而定。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于财团法人工业技术研究院,未经财团法人工业技术研究院许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/200810003421.4/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top