[发明专利]半导体器件和存储介质无效
| 申请号： | 200810003083.4 | 申请日： | 2008-01-18 |
| 公开（公告）号： | CN101226937A | 公开（公告）日： | 2008-07-23 |
| 发明（设计）人： | 桥本千惠美;山田利夫 | 申请（专利权）人： | 株式会社瑞萨科技 |
| 主分类号： | H01L27/04 | 分类号： | H01L27/04;H01L23/522;H01L27/092 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 | 代理人： | 季向冈 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体器件和存储介质，其目的在于降低具有构成逻辑电路的核心单元的半导体器件的电源噪声。在设在半导体衬底的主面上的构成逻辑电路的核心单元(CL)的上方，设置有与对核心单元(CL)供电的电源(Vdd)用的电源干线(PM1)电连接的支线(BL 1)和与对核心单元(CL)供电的电源(Vss)用的电源干线(PM2)电连接的支线(BL2)。使支线(BL1)和支线(BL2)彼此相对，在电源(Vdd)和电源(Vss)之间构成电容(C1)。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 存储 介质 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，其特征在于：包括设在半导体衬底的主面上的构成逻辑电路的核心单元、设在上述半导体衬底的主面上，覆盖上述核心单元的层间绝缘膜，设在上述层间绝缘膜上的对上述核心单元供电的第一电源用的第一电源干线，设在上述层间绝缘膜上的对上述核心单元供电的与上述第一电源不同的第二电源用的第二电源干线，设在上述层间绝缘膜上的与上述第一电源干线电连接的第一支线，以及设在上述层间绝缘膜上的与上述第二电源干线电连接的第二支线，通过彼此相对地设置上述第一支线和上述第二支线，在上述第一电源和上述第二电源之间构成电容。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
