[发明专利]非易失性半导体存储器的存储单元无效
| 申请号： | 200810002827.0 | 申请日： | 2008-01-09 |
| 公开（公告）号： | CN101276844A | 公开（公告）日： | 2008-10-01 |
| 发明（设计）人： | 安田直树 | 申请（专利权）人： | 株式会社东芝 |
| 主分类号： | H01L29/792 | 分类号： | H01L29/792;H01L29/49;H01L29/51;H01L27/115 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 金春实 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供关于写入/清除以及保存具有出色特性的MONOS型存储单元，本发明例子的存储单元具备形成在源·漏扩散层之间的沟道上，主要的构成元素是Si，O，N的第1绝缘膜、形成在第1绝缘膜上，主要的构成元素是Hf，O，N的电荷存储层，形成在电荷存储层上，具有比第1绝缘膜高的介电常数的第2绝缘膜，形成在第2绝缘膜上的控制栅电极，另外，第1绝缘膜的组成与电荷存储层的组成的关系以(A)第1绝缘膜的价电子带带阶比电荷存储层的价电子带带阶大，而且，(B)电荷存储层内的基于氧空位的陷阱能级存在于电荷存储层的带隙内为条件决定。 | ||
| 搜索关键词： | 非易失性 半导体 存储器 存储 单元 | ||
【主权项】：
1.一种非易失性半导体存储器的存储单元，其特征在于，具备：在半导体衬底的表面部分上隔开间隔形成的源·漏扩散层；形成在上述源·漏扩散层之间的沟道上，主要的构成元素是Si、O、N的第1绝缘膜；形成在上述第1绝缘膜上，主要的构成元素是Hf、O、N的电荷存储层；形成在上述电荷存储层上，具有比上述第1绝缘膜高的介电常数的第2绝缘膜；以及形成在上述第2绝缘膜上的控制栅电极，上述第1绝缘膜的组成与上述电荷存储层的组成的关系以(A)上述第1绝缘膜的价电子带带阶比上述电荷存储层的价电子带带阶大，而且，(B)上述电荷存储层内的基于氧空位的电子的陷阱能级存在于上述电荷存储层的带隙内为条件决定。
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