[发明专利]形成半导体器件微图案的方法

摘要

本发明涉及一种半导体器件微图案形成的方法。在根据本发明的一个方面的方法中，在半导体衬底上形成蚀刻目标层、第一硬掩模层和菱形绝缘图案。在包括绝缘图案的第一硬掩模层上形成第一辅助图案，其中在形成四边形的四个相邻绝缘图案的中心处形成具有与所述绝缘图案相同形状的接触孔。通过蚀刻第一辅助图案形成第二辅助图案从而暴露出绝缘图案的顶表面。除去所述暴露的绝缘图案。通过利用第二辅助图案作为蚀刻掩模的蚀刻过程来蚀刻所述第一硬掩模层以形成第一硬掩模图案。利用所述第一硬掩模图案蚀刻所述蚀刻目标层。

主权项

1.一种形成半导体器件微图案的方法，所述方法包括：在半导体衬底上形成蚀刻目标层、第一硬掩模层和具有菱形形状的绝缘图案；在包括所述绝缘图案的所述第一硬掩模层上形成第一辅助图案，其中在形成四边形的四个相邻绝缘图案的中间形成具有与所述绝缘图案基本相同形状的接触孔；通过蚀刻所述第一辅助图案形成第二辅助图案，使得暴露出所述绝缘图案的顶表面；除去所述暴露的绝缘图案；通过利用所述第二辅助图案作为蚀刻掩模的蚀刻过程蚀刻所述第一硬掩模层来形成第一硬掩模图案；利用所述第一硬掩模图案蚀刻所述蚀刻目标层。