[发明专利]利用NH3－NF3化学物质的氧化蚀刻

摘要

本发明一般提供用于选择性去除半导体基片上的多种氧化物的装置和方法。本发明的一个实施例提供一种用于使用蚀刻气体混合物以预期去除速率选择性去除基片上氧化物的方法。蚀刻气体混合物包括第一气体和第二气体，并且第一气体和第二气体的比值由预期去除速率确定。

主权项

1.一种用于以预期去除速率选择性去除基片上的氧化物的方法，包括：将所述基片放置在真空室中，其中所述基片表面具有包括氧化物的结构；将所述基片冷却到第一温度；在所述真空室内产生蚀刻气体混合物的活性物种，其中所述蚀刻气体混合物包括第一气体和第二气体，并且所述第一气体和第二气体的比值由所述预期去除速率确定；将所述基片表面上的结构暴露于所述活性物种以在所述基片上形成薄膜；加热所述基片以蒸发在所述结构上形成的所述薄膜；以及从所述真空室去除所述蒸发的薄膜。