[发明专利]半导体集成电路装置的制造方法

摘要

本发明防止在使用薄膜探针进行探针检查时损坏薄膜探针及作为检查对象的晶片，所述薄膜探针具有使用半导体集成电路装置的制造技术形成的探针。利用照相机等摄像机构获得晶片表面内的区域PCA的图像，将已预先获得的正常芯片10的图像与区域PCA中的所有芯片10加以比较，由此，判定区域PCA中的所有芯片10中是否产生异常形状，所述晶片表面内的区域PCA包含刚进行探针检查后的芯片10位于中央且挤压具挤压的区域OGA。

主权项

1.一种半导体集成电路装置的制造方法，其特征在于包括：(a)供给半导体晶片的步骤，所述半导体晶片具有多个芯片形成区域，所述多个芯片形成区域分别具有半导体集成电路以及与所述半导体集成电路电连接的多个电极，對所述半导体晶片获得有标准样品图像，且所述标准样品图像是拍摄包含所述多个芯片形成区域的所述半导体晶片的表面状态而得的图像；(b)供给探针卡的步骤，所述探针卡具有可与所述半导体晶片的所述多个电极接触的多个接触端子；(c)使所述探针卡的所述多个接触端子的前端，接触于选自所述半导体晶片中的所述多个芯片形成区域中的一个第1芯片形成区域的所述多个电极，由此对所述第1芯片形成区域的所述半导体集成电路进行电气检查的步骤；(d)在所述(c)步骤后，获得拍摄所述半导体晶片的表面状态而得的第1图像的步骤，所述半导体晶片包含所述第1芯片形成区域及所述第1芯片形成区域外侧的第2芯片形成区域；以及(e)在所述(d)步骤后，将所述第1图像中的所述第1及第2芯片形成区域、与所述标准样品图像中的所述第1及第2芯片形成区域加以比较的步骤。