[发明专利]激光绘图方法和设备无效
申请号: | 200810000234.0 | 申请日: | 2008-01-24 |
公开(公告)号: | CN101266926A | 公开(公告)日: | 2008-09-17 |
发明(设计)人: | 今西慎悟 | 申请(专利权)人: | 索尼株式会社 |
主分类号: | H01L21/268 | 分类号: | H01L21/268;H01L21/20;B23K26/02 |
代理公司: | 北京东方亿思知识产权代理有限责任公司 | 代理人: | 董方源 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 本发明公开了激光绘图方法和设备。本发明公开了一种激光绘图的方法,包括以下步骤:使来自光源的激光入射在声光衍射元件上,以及通过改变将被输入到元件中以使光发生衍射的高频信号的频率使入射到元件的光发生偏转,从而改变衍射光的衍射角,并使从元件出射的衍射光作为光点聚集在将被处理的对象上,从而使用光点来扫描对象。衍射光强度控制表被预先准备,该衍射光强度控制表用于控制衍射光的光强度以使之独立于衍射光的衍射角而保持恒定,并且在偏转步骤中,基于衍射光强度控制表来控制衍射光的光强度。 | ||
搜索关键词: | 激光 绘图 方法 设备 | ||
【主权项】:
1.一种激光绘图的方法,包括以下步骤:使来自光源的激光入射在声光衍射元件上;以及通过改变将被输入到所述声光衍射元件中以使光发生衍射的高频信号的频率使入射到所述声光衍射元件的光发生偏转,从而改变衍射光的衍射角,并通过中间光学透镜系统和聚光透镜使从所述声光衍射元件出射的所述衍射光作为所述衍射光的光点聚集在将被处理的对象上,从而使用所述衍射光的光点来扫描所述对象,其中衍射光强度控制表被预先准备,所述衍射光强度控制表用于控制将被输入到所述声光衍射元件中的所述高频信号的幅度以使从所述声光衍射元件出射的所述衍射光的光强度独立于所述衍射光的衍射角而保持恒定,并且其中在所述偏转步骤中,基于所述衍射光强度控制表来控制将被输入到所述声光衍射元件的所述高频信号的幅度,从而使从所述声光衍射元件出射的所述衍射光的光强度独立于所述衍射光的衍射角而保持恒定。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造