[发明专利]光电传感器系统无效
| 申请号： | 200780100546.2 | 申请日： | 2007-07-12 |
| 公开（公告）号： | CN101796394A | 公开（公告）日： | 2010-08-04 |
| 发明（设计）人： | M·索纳雷特内尔 | 申请（专利权）人： | 纳米识别技术股份公司 |
| 主分类号： | G01N21/64 | 分类号： | G01N21/64 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人： | 赵科 |
| 地址： | 奥地*** | 国省代码： | 奥地利;AT |
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| 摘要： | 一种光电传感器系统，其均匀地照射试样，并且只有所形成的荧光才能达到光敏层。该技术问题主要通过提供一种对在光电传感器层之前或之上的所耦入的光发生全反射的全反射层来解决。该应用可以在所有采用微阵列生物芯片的领域进行。 | ||
| 搜索关键词： | 光电 传感器 系统 | ||
【主权项】：
一种用于激励和检测试样的光电传感器系统，该光电传感器系统具有用于敷设试样的表面和位于该表面之下的层系统，该层系统具有透明的第一层和邻接的第二层以及位于该第二层之下的光电传感器层，其中该第一层具有第一折射率，并且用于激励试样的光能耦入到该第一层中；该第二层具有更小的第二折射率，用于产生所耦入的光以及由此产生的在该第一层中传播的平面光波的全反射；该光电传感器层由一个或多个位于两个电极层之间的半导体层构成，其中面对试样的电极层被构造为至少按区域透光。
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