[发明专利]带有直立式纳米线结构的LED及其制作方法无效

专利信息
申请号: 200780051734.0 申请日: 2007-12-22
公开(公告)号: CN101669219A 公开(公告)日: 2010-03-10
发明(设计)人: L·萨穆尔森;B·佩德森;J·奥尔森 申请(专利权)人: 昆南诺股份有限公司
主分类号: H01L33/00 分类号: H01L33/00;B82B1/00;B82B3/00;H01L29/06
代理公司: 中国专利代理(香港)有限公司 代理人: 张雪梅;王忠忠
地址: 瑞典*** 国省代码: 瑞典;SE
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摘要: 发明涉及发光二极管LED。具体而言,本发明涉及包括作为有源部件的纳米线的LED。根据本发明的纳米结构化LED包括基片和从该基片突出的直立式纳米线。提供有源区(120)以产生光的pn结存在于该结构内。纳米线(110)或由纳米线形成的结构形成波导(116),以将有源区中产生的光的至少一部分定向到由纳米线(110)给定的方向。
搜索关键词: 带有 立式 纳米 结构 led 及其 制作方法
【主权项】:
1.一种纳米结构化LED,包括基片和从该基片突出的至少一个直立式纳米线,pn结促成有源区(120)的形成以产生光,特征在于波导(116)将有源区中产生的光的至少一部分定向到由纳米线(110)给定的方向。
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