[发明专利]化学气相生长装置、膜的形成方法及半导体装置的制造方法无效
| 申请号： | 200780051487.4 | 申请日： | 2007-03-15 |
| 公开（公告）号： | CN101611166A | 公开（公告）日： | 2009-12-23 |
| 发明（设计）人： | 上杉宏之 | 申请（专利权）人： | 富士通微电子株式会社 |
| 主分类号： | C23C16/34 | 分类号： | C23C16/34;H01L21/3205;H01L21/285 |
| 代理公司： | 隆天国际知识产权代理有限公司 | 代理人： | 菅兴成;吴小瑛 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 采用MOCVD法在基材(10)上形成TiN膜时，通过加热器(2)将喷头(3)与捕集构件(5)之间的空间温度加热至TDMAT的热分解温度以上。然后，从喷头3将含TDMAT的原料气体等喷出至腔室(1)内。结果是，喷出至腔室(1)内的TDMAT，通过加热器(2)在喷头(3)与捕集构件(5)之间的空间中热分解为TiN、碳及烃。而且，TiN、碳及烃向着基材(10)移动。但是，碳及烃被捕集构件(5)捕集。另一方面，TiN则原样通过捕集构件(5)到达基材(10)。结果是，在基材(10)的表面生长不含碳及烃的TiN膜。 | ||
| 搜索关键词： | 化学 相生 装置 形成 方法 半导体 制造 | ||
【主权项】：
1.一种化学气相生长装置，其特征在于，该化学气相生长装置具有：腔室；基座，该基座设置在上述腔室内；供给装置，该供给装置用于向上述腔室内供给含有机金属的原料气体；加热装置，该加热装置通过对从上述供给装置供给的有机金属进行加热从而使之分解；捕集装置，该捕集装置将因上述有机金属的分解而产生的碳和烃在到达上述基座之前进行捕集。
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C23 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
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C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
