[发明专利]用于纳米线生长的系统与方法有效
| 申请号： | 200780049370.2 | 申请日： | 2007-11-06 |
| 公开（公告）号： | CN101573778A | 公开（公告）日： | 2009-11-04 |
| 发明（设计）人： | D·泰勒 | 申请（专利权）人： | 奈米系统股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;B82B3/00;B82B1/00 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 | 代理人： | 张宜红;钱静芳 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明针对用于纳米线生长的系统与方法。在一个实施例中，提供了用于纳米线生长与掺杂的方法，其中包括用于垂直定向的纳米线外延生长的方法，包括：在反应室中提供其上沉积了一个或多个成核颗粒的衬底材料，在第一温度下将蚀刻剂气体引入反应室，该气体有助于清洁衬底材料的表面，使成核颗粒与至少第一前驱气体接触以启动纳米线生长，将合金小滴加热至第二温度，由此使纳米线在成核核颗粒的位置生长。也可在导线生长期间将蚀刻剂气体引入反应室，以提供锥度低的纳米线。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 纳米 生长 系统 方法 | ||
【主权项】：
1.一种生产纳米线的方法，包括：(a)在反应室中提供其上沉积了一个或多个成核颗粒的衬底材料；(b)以第一温度将蚀刻剂气体引入所述反应室，该气体有助于清洁所述衬底材料的表面；(c)使所述成核颗粒与至少第一前驱气体接触以启动纳米线生长；以及(d)将所述衬底材料加热至第二温度，由此在所述成核颗粒的位置处生长纳米线。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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