[发明专利]减小离子植入器颗粒污染的方法有效
| 申请号： | 200780049064.9 | 申请日： | 2007-12-20 |
| 公开（公告）号： | CN101636811A | 公开（公告）日： | 2010-01-27 |
| 发明（设计）人： | 黄永章;阙维国;张锦程 | 申请（专利权）人： | 艾克塞利斯科技公司 |
| 主分类号： | H01J37/08 | 分类号： | H01J37/08;H01J37/248;H01J37/302 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 王新华 |
| 地址： | 美国马*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明公开一种射束控制电路和方法，通过减小离子束的工作因数以最小化离子植入系统内颗粒污染。在一个实施例中，射束控制电路包括与电源及离子植入系统的离子源部分相串联的高压开关，其中，开关可被操作以中断或重新建立电源与离子源的电极之间的连接，电极包括用于产生等离子体的电极。射束控制电路还包括开关控制器，其可操作地通过控制开关在离子植入开始之前闭合并且控制开关在植入完成之后或在不需要射束的其它时间断开，以控制离子束的工作因数，从而最小化射束工作因数和颗粒污染。射束控制技术可被应用于晶片掺杂植入和减小工作因数。用于高压开关的保护电路吸收来自电抗元件的能量并且钳止任何过电压。 | ||
| 搜索关键词： | 减小 离子 植入 颗粒 污染 方法 | ||
【主权项】：
1.一种用于离子植入系统的射束控制电路，包括：高压开关，所述高压开关串联连接于电源和与离子植入系统的离子源部分关联的电极，所述高压开关能够操作以中断或重建所述电源与所述电极之间的连接；和开关控制器，所述开关控制器能够操作以通过控制所述高压开关在离子植入之前闭合并且在离子植入之后断开来控制在离子植入系统内产生的射束的工作因数，从而最小化颗粒污染。
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