[发明专利]用于管理等离子体约束的减少的电场装置无效
| 申请号： | 200780048659.2 | 申请日： | 2007-12-27 |
| 公开（公告）号： | CN101573783A | 公开（公告）日： | 2009-11-04 |
| 发明（设计）人： | 塞巴斯蒂安·戴恩 | 申请（专利权）人： | 朗姆研究公司 |
| 主分类号： | H01L21/3065 | 分类号： | H01L21/3065 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 余 刚;吴孟秋 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供了一种用于在具有室壁的等离子体处理室中处理衬底的方法。该方法包括提供具有封装在电介质衬垫中的圆柱形电极的电极装置，所述衬里与所述室壁耦合。该方法还包括提供电感电路装置，其耦接在所述圆柱形电极与所述室壁之间。该方法还包括在将所述电极装置设置在等离子体处理室内的同时在等离子体处理室内产生等离子体以处理衬底。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 管理 等离子体 约束 减少 电场 装置 | ||
【主权项】：
1.一种用于在具有室壁的等离子体处理室中处理衬底的方法，包括：提供具有封装在电介质衬垫内的圆柱形电极的电极装置，所述电介质衬垫与所述室壁耦合；提供电感电路装置，所述电感电路装置耦接在所述圆柱形电极与所述室壁之间；以及在将所述电极装置设置在所述等离子体处理室内的同时在所述等离子体处理室内产生等离子体以处理所述衬底。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于朗姆研究公司，未经朗姆研究公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200780048659.2/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
