[发明专利]半导体器件及其制造方法

摘要

提供了一种制造半导体器件的方法，该半导体器件包括第一n型场效应晶体管(1)和第二p型场效应晶体管(2)。该方法包括步骤：在基片上沉积栅极电介质层；在栅极电介质层上沉积栅极金属层(22)；在栅极电介质层上沉积固态金属氧化物层(15)；去除在基片区域上对应于n型晶体管的一部分固态金属氧化物层(15)；以及完成用于n型晶体管和p型晶体管的栅极叠层并且形成源极区和漏极区。本发明因此提供了一种可与IC技术兼容并且易于制造的器件。通过避免形成氧化物层的气体曝射复杂度，固态金属氧化物层的沉积提供了一种简单的制造工艺。

主权项

1.一种半导体器件(10)，包括：第一n型场效应晶体管(1)，其具有第一源极和漏极区(1A、1B)和n型沟道以及第一栅极区，其中第一栅极区通过第一电介质区(1C)与n型沟道分隔开；以及第二p型场效应晶体管(2)，其具有第二源极和漏极区(2A、2B)和p型沟道以及第二栅极区，其中第二栅极区通过第二电介质区(2C)与p型沟道分隔开，其中第一栅极区包括金属层，第二栅极区包括金属层和上覆金属氧化物层，并且其中金属氧化物层存在于第二栅极区内而并不存在于第一栅极区内。