[发明专利]低温离子植入技术有效
| 申请号： | 200780043672.9 | 申请日： | 2007-11-19 |
| 公开（公告）号： | CN101563751A | 公开（公告）日： | 2009-10-21 |
| 发明（设计）人： | 乔纳森·吉罗德·英格兰;理查·S·默卡;D·杰弗里·里斯查尔 | 申请（专利权）人： | 瓦里安半导体设备公司 |
| 主分类号： | H01J37/317 | 分类号： | H01J37/317;H01L21/00 |
| 代理公司： | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 | 代理人： | 臧建明 |
| 地址： | 美国麻*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明公开了一种低温离子植入技术。在一特殊实施例中，此技术可体现为低温离子植入装置。此低温离子植入装置可包括晶圆支撑机构，晶圆支撑机构在离子植入过程中支撑着晶圆且帮助晶圆在至少一维空间里移动。此低温离子植入装置也可包括冷却机构，其耦接到晶圆支撑机构。此冷却机构可包括：制冷单元；闭环刚性管，让至少一种冷却剂从制冷单元循环流动到晶圆支撑机构；以及一个或多个旋转式轴承，耦接刚性管，以帮助晶圆在至少一维空间里移动。 | ||
| 搜索关键词： | 低温 离子 植入 技术 | ||
【主权项】：
1.一种低温离子植入装置，包括：晶圆支撑机构，在离子植入过程中支撑着晶圆，且帮助所述晶圆在至少一维空间里移动；以及冷却机构，耦接到所述晶圆支撑机构，所述冷却机构包括：制冷单元；闭环刚性管，让至少一种冷却剂从所述制冷单元循环流动到所述晶圆支撑机构；以及一个或多个旋转式轴承，耦接所述刚性管，以帮助所述晶圆在所述至少一维空间里移动。
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