[发明专利]衬底处理方法和衬底处理系统有效
申请号: | 200780042316.5 | 申请日: | 2007-11-14 |
公开(公告)号: | CN101536151A | 公开(公告)日: | 2009-09-16 |
发明(设计)人: | 山本雄一 | 申请(专利权)人: | 东京毅力科创株式会社 |
主分类号: | H01L21/027 | 分类号: | H01L21/027;H01L21/02 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人: | 王 岳;王忠忠 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 提供的是采用对一个衬底至少两次执行光刻和刻蚀的多图案化技术的衬底处理方法。通过使用衬底处理系统来执行该衬底处理方法,在该衬底处理系统中准备有用于执行光刻的每一步骤的多个处理单元。在对衬底执行第二次光刻时,为了使用与第一次光刻所使用的处理单元相同的处理单元,来执行第二次光刻的一个或多个步骤,将基于第一次光刻的处理历史来自动选择将将用于第二次处理的处理单元。 | ||
搜索关键词: | 衬底 处理 方法 系统 | ||
【主权项】:
1. 一种衬底处理方法,包括光刻处理和刻蚀处理,每个所述处理对一个衬底执行至少两次,其中,光刻处理包括用于在所述衬底上形成具有预定图案的掩模的多个步骤,其中所述刻蚀处理通过使用由所述光刻处理形成的掩模来刻蚀所述衬底,并且其中通过使用具有多个处理单元组的衬底处理系统来执行所述衬底处理方法,所述多个处理单元组分别被分配给所述多个处理步骤,并且每个处理单元组包括多个同一类型的处理单元,所述方法进一步包括下述步骤:判断从现在开始将对衬底执行的光刻处理是对衬底的第一次光刻处理,还是对衬底的第二次或更多次的光刻处理;如果所述判断步骤判断出从现在开始将要对所述衬底执行的光刻处理是第二次或更多次的对所述衬底的光刻处理的话,则通过按照下述方式从每个处理单元组中选择一个处理单元来决定在从现在开始将要执行的光刻处理中将使用的处理单元,所述方式为在从现在开始将要对衬底执行的光刻处理中将使用的至少一个处理单元与在最近对衬底执行的光刻处理中所使用的处理单元相同。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造