[发明专利]垂直集成的MEMS有效
| 申请号： | 200780038947.X | 申请日： | 2007-10-18 |
| 公开（公告）号： | CN101553425A | 公开（公告）日： | 2009-10-07 |
| 发明（设计）人： | S·拉马穆尔蒂;D·J·米利根 | 申请（专利权）人： | 惠普开发有限公司 |
| 主分类号： | B81C1/00 | 分类号： | B81C1/00;B81C3/00 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 张雪梅;徐予红 |
| 地址： | 美国德*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明公开了一种形成微机电系统(MEMS)换能器的示范性系统和方法。根据本文公开的一个示范性实施例，该MEMS换能器由两个晶片形成，并且消除了检测质量和挠性件的厚度的相互影响，从而允许它们被独立设计。此外，本示范性系统和方法刻蚀晶片的两侧以限定检测质量和挠性件，从而允许光学对准顶部和底部晶片。 | ||
| 搜索关键词： | 垂直 集成 mems | ||
【主权项】：
1、一种形成微机电系统(MEMS)的方法，包括：形成第一晶片(110，410)，包括从所述第一晶片(110，410)移除材料以限定至少一个挠性构件(145，150，440)和至少一个检测质量(430)；形成包含电子电路的第二晶片(120，420)；和将所述第一晶片(120，420)结合到所述第二晶片(120，420)，使得在所述第一晶片(110，410)和所述第二晶片(120，420)之间限定间隙；其中所述至少一个挠性构件(145，150，440)的厚度与所述至少一个检测质量(430)的厚度无关。
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