[发明专利]浅沟渠隔离的二氧化硅高品质介电膜的形成：于高纵深比填沟工艺Ⅱ（ HARPⅡ）使用不同的硅氧烷前体—远端等离子辅助沉积工艺

摘要

本发明描述一种在形成于基材上之间隙中沉积一介电层的方法。该方法包括导入一有机硅前体及一氧前体至一沉积反应室。该有机硅前体的C∶Si原子比小于8，且该氧前体包括在该沉积反应室外产生的氧原子。使该些前体进行反应以在该间隙中形成介电层。亦描述以介电材料填充一间隙的方法。该方法包括提供一C∶Si原子比小于8的有机硅前体及一氧前体，并由该些前体产生一等离子以在该间隙中沉积该介电材料的第一部分。可蚀刻该介电材料，且可在该间隙中形成该介电材料的第二部分。可退火处理该介电材料的第一及第二部分。

主权项

1.一种在形成于一基材上的一间隙中沉积一介电层的方法，该方法包括：导入一有机硅前体及一氧前体至一沉积反应室，其中该有机硅前体的C∶Si原子比小于8，且其中该氧前体包括在该沉积反应室外产生的氧原子；及使该些前体进行反应以在该间隙中形成该介电层。