[发明专利]疏水性修饰的聚胺污垢抑制剂有效
| 申请号: | 200780038199.5 | 申请日: | 2007-09-26 |
| 公开(公告)号: | CN101522571A | 公开(公告)日: | 2009-09-02 |
| 发明(设计)人: | 霍华德·I·海特纳;唐纳德·P·斯皮策 | 申请(专利权)人: | 氰特技术公司 |
| 主分类号: | C02F1/00 | 分类号: | C02F1/00;C02F5/00;C02F5/12;C08G73/02;C23F14/02 |
| 代理公司: | 北京康信知识产权代理有限责任公司 | 代理人: | 李丙林 |
| 地址: | 美国特*** | 国省代码: | 美国;US |
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| 摘要: | 用于处理工业加工流体中的污垢(scale)的疏水性修饰的含Si聚胺。优选的疏水性修饰的含Si聚胺在对难以处理的工业加工流体,例如Bayer氧化铝加工流体、核废物流体和牛皮纸磨坊流出流体中的铝硅酸盐污垢进行处理时特别有用。 | ||
| 搜索关键词: | 疏水 修饰 污垢 抑制剂 | ||
【主权项】:
1.包含式(I)的重复单元和式(II)的重复单元的聚合物:
其中:T和E分别独立地为第一可选地取代的包含约2至约40个碳的烃基;Q为H或第二可选地取代的包含约1至约20个碳的烃基;A1和A2分别独立地为直接的键或包含约1至约20个碳的有机连接基团;R”=H,可选地取代的C1-C20烷基,可选地取代的C6-C12芳基,可选地取代的C7-C20芳烷基,可选地取代的C2-C20烯基,I族金属离子,II族金属离子,或NR14,其中每个R1独立地选自H,可选地取代的C1-C20烷基,可选地取代的C6-C12芳基,可选地取代的C7-C20芳烷基,和可选地取代的C2-C20烯基;以及该聚合物具有至少约500的平均分子量;第一个条件是当A2-Q为H时,T和E中至少一个包含4个或更多的碳原子;第二个条件是当A2-Q不是H时,T和E中至少一个包含2个或更多的碳原子;第三个条件是Q不包含Si(O R”)3基团;第四个条件是A2不是未取代的-C(=O)-烷基;且第五个条件是当Q为OH或NH2时,A1和A2不同时为亚烷基。
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