[发明专利]增强的互连结构有效
| 申请号： | 200780037939.3 | 申请日： | 2007-10-11 |
| 公开（公告）号： | CN101523585A | 公开（公告）日： | 2009-09-02 |
| 发明（设计）人： | C-c·杨;H·S·杨;K·K·H·沃恩格;M·G·法奥奎 | 申请（专利权）人： | 国际商业机器公司 |
| 主分类号： | H01L21/469 | 分类号： | H01L21/469 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 | 代理人： | 王茂华 |
| 地址： | 美国纽*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种半导体互连结构，该互连结构在帽层(61)、底层电介质层(12)和扩散阻挡层(31)的界面处具有改进的机械强度。该互连结构具有嵌入在该帽层材料(61)中的扩散阻挡材料(31)的一部分(41)。该阻挡(31)可以部分或者完全嵌入在该帽层(61)中。 | ||
| 搜索关键词： | 增强 互连 结构 | ||
【主权项】：
1. 一种半导体器件，包括：互连结构，所述互连结构具有其中嵌入有至少一个导电互连(32)的电介质层(12)；扩散阻挡层(31)，环绕所述至少一个导电互连(32)且与所述电介质层(12)和所述至少一个导电互连(32)接触；电介质帽层(61)，与所述电介质层(12)和所述至少一个导电互连(32)接触；以及延伸到所述电介质帽层(61)中的所述扩散阻挡层(31)的一部分(41)。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于国际商业机器公司，未经国际商业机器公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200780037939.3/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：薄膜晶体管基板及显示器件
- 下一篇：半导体装置及半导体装置的制造方法
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
