[发明专利]晶片通孔形成

摘要

在完全处理的晶片中的导电通孔形成的方法包括：在所述完全处理的晶片的后侧上限定至少一个沟道区域，在所述沟道区域之内形成至少一个沟道到总深度，其将允许在所述沟道之内形成的通孔遍及它的整体长度被引晶，在进入所述完全处理的晶片之内的沟道之内形成所述通孔到预定深度，沉积籽晶层遍及所述通孔的整体长度，以及电镀所述籽晶层以用导电金属填充所述通孔。

主权项

1.一种在完全处理的晶片中的导电通孔形成的方法，其特征在于，包括：在所述完全处理的晶片的后侧上限定至少一个沟道区域；向所述完全处理的晶片的后侧内，在所述沟道区域之内形成至少一个沟道到总深度，其将允许在所述沟道之内形成的通孔遍及其整个长度被引晶；在进入到所述完全处理的晶片内的沟道之内形成所述通孔到预定深度，在所述沟道在所述通孔的边缘的底部的表面与所述预定深度之间的距离限定所述整个长度；遍及所述通孔的所述整个长度，沉积籽晶层；以及电镀所述籽晶层以用导电金属填充所述通孔。