[发明专利]有序排列、大长宽比、高密度的硅纳米线及其制造方法无效
| 申请号： | 200780037375.3 | 申请日： | 2007-10-05 |
| 公开（公告）号： | CN101536187A | 公开（公告）日： | 2009-09-16 |
| 发明（设计）人： | 吴永现 | 申请（专利权）人： | 日立化成工业株式会社;日立化成研究中心 |
| 主分类号： | H01L27/00 | 分类号： | H01L27/00 |
| 代理公司： | 北京同恒源知识产权代理有限公司 | 代理人： | 张水俤 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种产生硅纳米线的方法，包括：提供掺杂材料形式的衬底；配制蚀刻溶液；将适当的电流密度施加适当的时间长度。还描述了至少部分地由硅纳米线构成的相关结构和器件。 | ||
| 搜索关键词： | 有序 排列 大长宽 高密度 纳米 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1. 一种通过电化学蚀刻硅衬底产生硅纳米线的方法，该方法包括：提供掺杂的硅材料形式的衬底；配制包含乙醇和氢氟酸的蚀刻溶液，该蚀刻溶液包含1-38％体积的氢氟酸；施加1-2,000mA/cm2的电流密度；以及电化学蚀刻上述衬底1秒至24小时。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
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