[发明专利]导电膜形成方法、薄膜晶体管、带有薄膜晶体管的面板以及薄膜晶体管的制造方法

摘要

成膜粘合性高、比电阻低的导电膜。将以铜作为主要成分的靶在导入有氮化气体的真空氛围气体中进行溅射，形成以铜作为主要成分、含有Ti等添加金属的导电膜(25)。该导电膜(25)与硅层(23)或基板(22)的粘合性高，不易从基板(22)上剥离。而且，由于比电阻低、对于透明导电膜的接触电阻也低，即使用于电极膜时，其电学特性也不会变差。通过本发明成膜的导电膜特别适合用于TFT或半导体元件的电极用屏障膜。

主权项

1. 导电膜形成方法，该方法是通过溅射法，在真空氛围气体中，在成膜对象物表面上形成以铜作为主要成分、含有添加金属的导电膜的导电膜形成方法，其中，在将化学结构中具有氮原子的氮化气体供给到所述真空氛围气体中的同时，在所述真空氛围气体中将以铜作为主要成分的靶进行溅射，使所述靶释放选自Ti、Zr、Hf、V、Nb、Ta、Cr、Mo、W、Mn、Fe、Ru、Os、Co、Ni、Bi、Ag、Zn、Sn、B、C、Al、Si、La、Ce、Pr和Nd中的任意1种添加金属的原子与铜原子，形成所述导电膜。