[发明专利]具有成形浮动栅极的非易失性存储器有效
| 申请号： | 200780030319.7 | 申请日： | 2007-08-02 |
| 公开（公告）号： | CN101523559A | 公开（公告）日： | 2009-09-02 |
| 发明（设计）人： | 尼玛·穆赫莱斯 | 申请（专利权）人： | 桑迪士克股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28;H01L21/8247;H01L27/115;H01L29/423;H01L21/3213 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 刘国伟 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 在使用浮动栅极来存储电荷的非易失性存储器中，个别浮动栅极(230)呈L形。L形浮动栅极的定向可在位线方向上交替且还可在字线方向上交替。通过使用不同图案的蚀刻掩模蚀刻导电部分以获得不同定向的浮动栅极来形成L形浮动栅极。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 成形 浮动 栅极 非易失性存储器 | ||
【主权项】：
1. 一种形成NAND快闪存储器的方法，其包含：形成沿第一方向串联连接在一起的多个存储器单元，所述多个存储器单元中的每一者具有浮动栅极；使所述多个存储器单元的所述浮动栅极中的浮动栅极在垂直于所述第一方向的平面中的横截面中成形为L形。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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