[发明专利]磁传感器设备无效

专利信息
申请号: 200780030235.3 申请日: 2007-08-07
公开(公告)号: CN101501500A 公开(公告)日: 2009-08-05
发明(设计)人: H·杜里克;J·A·H·M·卡尔曼;B·M·德布尔 申请(专利权)人: 皇家飞利浦电子股份有限公司
主分类号: G01N33/543 分类号: G01N33/543;G01N27/72;G01N15/10;G01N35/00
代理公司: 永新专利商标代理有限公司 代理人: 陈松涛
地址: 荷兰艾*** 国省代码: 荷兰;NL
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 发明提供了一种磁传感器设备(20),包括:至少一个位于第一平面中的传感器表面;用于向传感器表面(13)吸引磁或可磁化对象(15)的第一磁场生成装置(12),该第一磁场生成装置(12)位于不同于并基本平行于第一平面的第二平面中;以及用于磁化结合到传感器的磁或可磁化对象(15)的第二磁场生成装置(14)。第一磁场生成装置(12)和所述至少一个传感器元件(11)之间的间距小于2μm,小至任选地交叠。本发明还提供了一种利用根据本发明实施例的磁传感器设备(20)确定样本流体中的磁或可磁化对象(15)的存在和/或量的方法。
搜索关键词: 传感器 设备
【主权项】:
1、一种磁传感器设备(20),其具有表面(13)并包括:-用于感测磁或可磁化对象(15)的存在的至少一个传感器元件(11),所述至少一个传感器元件(11)位于第一平面中,-用于产生第一磁场的第一磁场生成装置(12),所述第一磁场用于向所述传感器表面(13)吸引磁或可磁化对象(15),以及-用于产生第二磁场的第二磁场生成装置(14),所述第二磁场用于磁化所述磁或可磁化对象(13),所述第一磁场生成装置(12)位于不同于所述第一平面且基本平行于所述第一平面的第二平面中,其中所述第一磁场生成装置(12)和所述传感器元件(11)之间的间距小于2微米,小至任选地交叠。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于皇家飞利浦电子股份有限公司,未经皇家飞利浦电子股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/200780030235.3/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top