[发明专利]用来形成纳米结构单层的方法和器件,以及包括该单层的器件有效

专利信息
申请号: 200780028495.7 申请日: 2007-07-27
公开(公告)号: CN101512754A 公开(公告)日: 2009-08-19
发明(设计)人: M·L·纳拉波鲁;刘超;段镶锋;陈建;J·W·帕斯;K·C·克鲁登;S·兰甘纳坦 申请(专利权)人: 奈米系统股份有限公司
主分类号: H01L21/82 分类号: H01L21/82;H01L27/10;H01L29/739
代理公司: 上海专利商标事务所有限公司 代理人: 沙永生
地址: 美国加利*** 国省代码: 美国;US
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摘要: 提供了一种用来形成纳米结构阵列或对其进行图案化的方法。所述方法包括在包含纳米结构缔合基团的涂层上形成阵列,在旋涂电介质中形成阵列,沉积纳米结构之后进行溶剂退火,使用光刻胶进行图案化,以及/或者使用促进阵列形成的器件。还提供了用来形成纳米结构阵列的相关的器件,其为包括纳米结构阵列的器件(例如存储器件)。还提供了保护纳米结构,使其免于在高温处理过程中熔合的方法。
搜索关键词: 用来 形成 纳米 结构 单层 方法 器件 以及 包括
【主权项】:
1. 一种用来对纳米结构单层进行图案化的方法,该方法包括:a)将光刻胶和嵌入光刻胶中的纳米结构的单层施加在第一层上,以提供光刻胶层;b)对光刻胶层以预定的图案曝光,以提供在光刻胶层至少一个第一区内的曝光的光刻胶,以及在光刻胶层至少一个第二区的未曝光的光刻胶;c)从第一层除去未曝光的光刻胶及其嵌入的纳米结构,同时不除去所述曝光的光刻胶及其嵌入的纳米结构,从而使得第一区限定的至少一个纳米结构单层阵列保留在第一层上;d)在步骤c)之后,对第一层,曝光的光刻胶及其嵌入的纳米结构施加至少约300℃的温度。
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