[发明专利]用来形成纳米结构单层的方法和器件,以及包括该单层的器件有效
| 申请号: | 200780028495.7 | 申请日: | 2007-07-27 |
| 公开(公告)号: | CN101512754A | 公开(公告)日: | 2009-08-19 |
| 发明(设计)人: | M·L·纳拉波鲁;刘超;段镶锋;陈建;J·W·帕斯;K·C·克鲁登;S·兰甘纳坦 | 申请(专利权)人: | 奈米系统股份有限公司 |
| 主分类号: | H01L21/82 | 分类号: | H01L21/82;H01L27/10;H01L29/739 |
| 代理公司: | 上海专利商标事务所有限公司 | 代理人: | 沙永生 |
| 地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 美国;US |
| 权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
| 摘要: | 提供了一种用来形成纳米结构阵列或对其进行图案化的方法。所述方法包括在包含纳米结构缔合基团的涂层上形成阵列,在旋涂电介质中形成阵列,沉积纳米结构之后进行溶剂退火,使用光刻胶进行图案化,以及/或者使用促进阵列形成的器件。还提供了用来形成纳米结构阵列的相关的器件,其为包括纳米结构阵列的器件(例如存储器件)。还提供了保护纳米结构,使其免于在高温处理过程中熔合的方法。 | ||
| 搜索关键词: | 用来 形成 纳米 结构 单层 方法 器件 以及 包括 | ||
【主权项】:
1. 一种用来对纳米结构单层进行图案化的方法,该方法包括:a)将光刻胶和嵌入光刻胶中的纳米结构的单层施加在第一层上,以提供光刻胶层;b)对光刻胶层以预定的图案曝光,以提供在光刻胶层至少一个第一区内的曝光的光刻胶,以及在光刻胶层至少一个第二区的未曝光的光刻胶;c)从第一层除去未曝光的光刻胶及其嵌入的纳米结构,同时不除去所述曝光的光刻胶及其嵌入的纳米结构,从而使得第一区限定的至少一个纳米结构单层阵列保留在第一层上;d)在步骤c)之后,对第一层,曝光的光刻胶及其嵌入的纳米结构施加至少约300℃的温度。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于奈米系统股份有限公司,未经奈米系统股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/200780028495.7/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:密封结构体
- 下一篇:作为AKT蛋白激酶抑制剂的二氢呋喃并嘧啶
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造





