[发明专利]用于钻孔质量管理和分析的工艺和系统有效
| 申请号： | 200780025881.0 | 申请日： | 2007-07-10 |
| 公开（公告）号： | CN101490826A | 公开（公告）日： | 2009-07-22 |
| 发明（设计）人： | 松本久;马克·辛格;利奥·鲍德温;杰弗里·豪尔顿;戴维·V·奇尔德斯 | 申请（专利权）人： | ESI电子科技工业公司 |
| 主分类号： | H01L21/4763 | 分类号： | H01L21/4763 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 孟 锐 |
| 地址： | 美国俄*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 一种用于在具有呈变化几何形状的多个定位焊盘的电路衬底的至少一个层中激光形成盲孔的工艺可包含：对于待形成于电路衬底的至少一个层中的至少一个盲孔，相对于待形成于钻凿位置处的盲孔几何形状值(例如，面积和/或体积)来估算在距所述钻凿位置预定距离内的定位焊盘几何形状值(例如，面积和/或体积)。所述工艺可包含基于所述估算而设置至少一个激光操作参数，以便在盲孔形成之后获得所需的定位焊盘外观。所述工艺可包含：对在电路衬底的至少一个层中被界定为距盲孔钻凿位置预定距离内的区域的定位焊盘区域进行成像；量化所述经成像的定位焊盘区域的至少一个外观值；以及基于所述经量化的外观值而确定所述经成像的定位焊盘区域的可接受性。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 钻孔 质量管理 分析 工艺 系统 | ||
【主权项】：
1. 一种用于在具有呈变化几何形状的多个定位焊盘的电路衬底的至少一个层中激光形成盲孔的工艺，所述工艺包括：对于待形成于电路衬底的至少一个层中的至少一个盲孔，相对于待形成于钻凿位置处的盲孔几何形状值来估算距所述钻凿位置预定距离内的定位焊盘几何形状值；以及基于所述估算的结果而设置至少一个激光操作参数，以便在盲孔形成之后获得所需的定位焊盘外观。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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