[发明专利]具有改进的密度和阶梯覆盖率的无定形碳膜的沉积方法有效
| 申请号： | 200780024531.2 | 申请日： | 2007-06-22 |
| 公开（公告）号： | CN101480110A | 公开（公告）日： | 2009-07-08 |
| 发明（设计）人： | D·帕德希;H-C·哈;S·拉蒂;D·R·威蒂;C·陈;S·帕克;G·巴拉苏布拉马尼恩;K·杰纳基拉曼;M·J·西蒙斯;V·斯瓦拉马克瑞希楠;B·H·金;H·姆塞德 | 申请（专利权）人： | 应用材料股份有限公司 |
| 主分类号： | H05H1/24 | 分类号： | H05H1/24 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 | 代理人： | 陆 嘉 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种在基板上沉积无定形碳层的方法包括下列步骤：将基板放置在处理室中；将烃源导入处理室；将重稀有气体导入处理室；以及在处理室中产生等离子体。重稀有气体选自由氩、氪、氙、及其混合物所组成的群组，并且稀有气体的摩尔流速大于烃源的摩尔流速。该方法可包括后沉积终止步骤，其中烃源及稀有气体的流动并终止，并且将等离子体维持在处理室中一段时间以自处理室中移除粒子。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 改进 密度 阶梯 覆盖率 无定形碳 沉积 方法 | ||
【主权项】：
1. 一种在基板上形成无定形碳层的方法，包括：将基板放置在基板处理室中；将烃源导入该处理室；将稀有气体导入该处理室，而该稀有气体选自由氩气、氪气、氙气及其组合所组成的群组，其中该稀有气体的摩尔流速大于该烃源的摩尔流速；在该处理室中产生等离子体；以及在该基板上形成无定形碳层。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于应用材料股份有限公司，未经应用材料股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200780024531.2/，转载请声明来源钻瓜专利网。
