[发明专利]稳定的光伏器件及其制造方法

摘要

一种p-i-n结构的半导体器件包括：由p掺杂的半导体材料构成的p层；由n掺杂的半导体材料构成的n层；以及插入其间的由基本本征的纳米晶半导体材料构成的i层。所述i层中的结晶体积从其与所述n层的分界面到其与所述p层的分界面随着该层的厚度的增加而降低。所述基本本征的纳米晶半导体材料的晶体尺寸也可以从其与所述n层的分界面到其与所述p层的分界面随着所述i层的厚度的增加而降低。在所述i层和所述p层的分界面处开始的且包括不大于其厚度的50％的那部分所述i层中的中程有序的区域的体积，大于在其余的所述i层中的中程有序的区域的体积。这种类型的器件可以用作光伏器件，并可以通过等离子淀积工艺制备。

主权项

1. 一种光伏器件，其具有增强的抗光致退化性，所述器件包括：p层，其由p掺杂的半导体材料构成；n层，其由n掺杂的半导体材料构成；以及i层，其由插入在所述p层和所述n层之间的基本本征的纳米晶半导体材料构成；其中所述i层中的结晶体积从其与所述n层的分界面到其与所述p层的分界面随着该层的厚度的增加而降低。