[发明专利]可重复使用的坩埚及其制造方法无效
| 申请号： | 200780023521.7 | 申请日： | 2007-06-20 |
| 公开（公告）号： | CN101495680A | 公开（公告）日： | 2009-07-29 |
| 发明（设计）人： | 鲁内·罗利吉特恩;耶尔特鲁德·里安;施泰因·朱尔斯鲁德 | 申请（专利权）人： | REC斯坎沃佛股份有限公司 |
| 主分类号： | C30B11/00 | 分类号： | C30B11/00 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 陈海涛;樊卫民 |
| 地址： | 挪威波*** | 国省代码： | 挪威;NO |
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| 摘要： | 本发明涉及用于制造半导体级硅锭料的可重复使用的坩埚，该坩埚由氮化物结合氮化硅(NBSN)制成。该坩埚可通过如下制得：混合氮化硅粉末与硅粉末，形成坩埚生坯，然后在含氮气氛中加热生坯，使得硅粉末氮化而形成NBSN坩埚。该坩埚可通过组装待成为方形截面坩埚的底部(1)和壁部(3，5)的NBSN材料板状元件而得到，任选地通过施用含有硅粉末和任选的氮化硅粒子的糊料来密封结合处，随后在氮气气氛中进行第二次热处理。 | ||
| 搜索关键词： | 重复使用 坩埚 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.用于制造坩埚的方法，所述坩埚用于通过定向凝固来生产半导体级硅锭料，其特征在于，所述方法包括：-将氮化硅粉末与硅粉末混合；-用具有期望形状的粉末混合物形成生坯；以及-在基本上纯氮的气氛中加热所述生坯，由此根据反应：3Si(s)+2N2(g)＝Si3N4(s)，将生坯中的硅粒子进行氮化，从而将生坯转变成氮化物结合氮化硅(NBSN)体。
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