[发明专利]制备含无机半导体颗粒的层的方法以及包含该层的器件无效
| 申请号： | 200780023318.X | 申请日： | 2007-06-18 |
| 公开（公告）号： | CN101473463A | 公开（公告）日： | 2009-07-01 |
| 发明（设计）人： | M·S·皮博;G·特里梅尔;F·施特尔策;T·拉特;A·K·普莱辛;D·迈斯纳 | 申请（专利权）人： | 依索沃尔塔股份公司 |
| 主分类号： | H01L51/00 | 分类号： | H01L51/00;H01L31/0256;C08L65/00 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 李 帆 |
| 地址： | 奥地利维*** | 国省代码： | 奥地利;AT |
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| 摘要： | 本发明涉及制备含有无机半导体颗粒的层的方法。依据本发明，在半导体有机基质中由金属盐和/或金属化合物与盐形式或有机的反应物原位形成含无机半导体颗粒的层。含有无机半导体颗粒且依据本发明制备的层允许光伏元件如太阳能电池或光电检测器的简单且成本有效的制备方法。 | ||
| 搜索关键词： | 制备 无机 半导体 颗粒 方法 以及 包含 器件 | ||
【主权项】：
1. 制备含无机半导体颗粒的层的方法，其特征在于由金属盐和/或金属化合物与盐形式或有机的反应物在半导体有机基质中原位形成该含无机半导体颗粒的层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射；专门适用于将这些辐射能转换为电能，或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的，如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
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