[发明专利]功率放大器装置无效
| 申请号： | 200780023306.7 | 申请日： | 2007-06-15 |
| 公开（公告）号： | CN101473433A | 公开（公告）日： | 2009-07-01 |
| 发明（设计）人： | 耶罗恩·A·比兰恩;马库斯·H·范克里夫;弗雷克·E·范斯坦腾 | 申请（专利权）人： | NXP股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/498 | 分类号： | H01L23/498;H01L21/768;H01L23/48;H01L23/50 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 朱进桂 |
| 地址： | 荷兰艾*** | 国省代码： | 荷兰;NL |
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| 摘要： | 功率放大器模块包括层压衬底，层压衬底包括热过孔和端子以及平台器件，平台器件具有半导体材料的互连衬底。在第一侧为该衬底提供电互连，并且采用相反的第二侧将该衬底安装在层压衬底上。导电连接通过衬底从第一侧延伸至第二侧。将功率放大器附着到衬底的第二侧。通过互连衬底的导电连接之一是针对功率放大器的接地路径，利用半导体材料提供热路径。对于互连衬底存在最佳厚度，在所述最佳厚度下实现了正常的接地以及可接受的热耗散。 | ||
| 搜索关键词： | 功率放大器 装置 | ||
【主权项】：
1、一种功率放大器装置，包括：平台器件，配置有第一侧和第二侧，所述平台器件包括半导体材料的互连衬底，并且适于以其第二侧安装在载体上，第一导电连接通过所述互连衬底从器件的第一侧延伸至器件的第二侧，功率放大器器件，被附着到所述平台器件的第一侧并且包括第一功率放大器；其中通过所述互连衬底的第一导电连接是第一功率放大器的接地路径，而通过所述衬底的半导体材料提供热学路径。
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