[发明专利]AlxGa1-xN晶体的生长方法和AlxGa1-xN晶体衬底有效
| 申请号： | 200780023255.8 | 申请日： | 2007-06-15 |
| 公开（公告）号： | CN101473075A | 公开（公告）日： | 2009-07-01 |
| 发明（设计）人： | 宫永伦正;水原奈保;中幡英章 | 申请（专利权）人： | 住友电气工业株式会社 |
| 主分类号： | C30B29/38 | 分类号： | C30B29/38;C30B23/06 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 陈海涛;樊卫民 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供了AlxGa1-xN晶体生长方法以及AlxGa1-xN晶体衬底，其中获得了低位错密度的大块晶体。所述AlxGa1-xN晶体(0＜x≤1)生长方法是一种通过气相技术生长AlxGa1-xN晶体10的方法，其特征在于，在晶体生长中，在AlxGa1-xN晶体10的主生长面11上形成至少一个具有多个小面12的凹坑10p，并在所述至少一个凹坑10p存在下生长AlxGa1-xN晶体10，以减少AlxGa1-xN晶体10中的位错。 | ||
| 搜索关键词： | al sub ga 晶体 生长 方法 衬底 | ||
【主权项】：
1. 一种利用气相技术生长AlxGa1-xN晶体(0
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