[发明专利]碲化镉基光伏器件及其制造方法无效
| 申请号： | 200780022009.0 | 申请日： | 2007-04-18 |
| 公开（公告）号： | CN101467263A | 公开（公告）日： | 2009-06-24 |
| 发明（设计）人： | D·E·卡佐里斯;B·朱 | 申请（专利权）人： | 道康宁公司 |
| 主分类号： | H01L31/0392 | 分类号： | H01L31/0392;H01L31/18 |
| 代理公司： | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人： | 赵蓉民;陈建芳 |
| 地址： | 美国密*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及碲化镉基光伏器件及其制造方法。碲化镉(CdTe)基光伏器件包括含有镉和碲化物的CdTe层。CdTe基光伏器件进一步包括衬底，所述衬底包括由硅氧烷组合物形成的硅氧烷层。由于衬底包括由硅氧烷组合物形成的硅氧烷层，其既是挠性的，又足以抵抗超过350℃和经常超过500℃的退火温度，以获得器件的最大效率。 | ||
| 搜索关键词： | 碲化镉基光伏 器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1. 碲化镉(CdTe)基光伏器件(104)，其包括：CdTe层，其包括镉和碲化物；和衬底(106)，其包括由硅氧烷组合物形成的硅氧烷层(306)。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于道康宁公司，未经道康宁公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200780022009.0/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种高纯度加巴喷丁的制备方法
- 下一篇：具有杀昆虫和杀螨特性的活性剂结合物
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
